銻化鎵（GaSb）晶體在紅外探測和激光領域有很好的發展前景，以GaSb為襯底發展起來的二類超晶格結構紅外探測器性能優異，在中紅外波段有重要應用，如制作多種用途的軍用紅外探測器件以及用于火災報警和環境污染檢測的傳感器等；同時GaSb還可用于制備2-5µm波段的光發射器件（LED和激光器件），應用于光通信、激光、光敏探測等各種工程領域。GaSb材料在國外已有規模應用，但我國尚處于起步階段。

有研光電新材料有限責任公司在III-V族半導體單晶生長領域擁有較強的技術基礎，經市場調研與技術論證，于2019年11月立項開展GaSb單晶研發工作。在設備場地等實驗條件建成后，科研小組歷時兩個月，共實施10余次拉晶實驗，于2020年8月成功生長出直徑2.5英寸GaSb單晶，晶體完整性良好。

下一步，有研光電將進一步優化晶體的電學參數并降低位錯密度，爭取年內進入市場。